Freescale sort une RAM magnétorésistive

Mobilité

Le fabricant de semi-conducteurs lance un produit innovant : une mémoire vive qui conserve des informations après une coupure de courant.

Freescale, l’ancienne division semi-conducteurs de Motorola, va fabriquer en série et commercialiser un produit présenté comme une révolution : la première mémoire MRAM (magnetoresistive random-access memory ou RAM magnétorésistive) en 4 Mbits.

Il s’agit d’une mémoire non volatile, rapide et qui affiche une endurance illimitée, selon Freescale. Ce qui serait une performance jamais égalée pour le cas des mémoires à semiconducteurs. Selon Will Strauss, un expert du cabinet d’étude Forward Concepts, cette puce constituerait l’une des principales innovations depuis dix ans en ce qui concerne la mémoire vive.

Ce nouveau produit serait un pur projet des labos R&D de Freescale, protégé par plus de 100 brevets liés à la technologie MRAM, dont la commutation par bit de contrôle (Toggle-Bit). La technologie MRAM associe des matériaux magnétiques à des circuits microélectroniques classiques en silicium. Avantage principal : les informations seraient conservées en mémoire après une coupure du courant électrique, comme si elles étaient stockées dans un disque dur.

Commercialisée sous la référence MR2A16A, la première mémoire MRAM conviendrait parfaitement à des applications telles que la connectivité réseau, la sécurité, le stockage des données, les jeux et les imprimantes. Elle est disponible immédiatement sur le site de Freescale au prix de 25 dollars par 1000 pièces.


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