IBM et Hitachi veulent graver les semi-conducteurs en 22 nanomètres

Mobilité

Les deux groupes industriels lancent un programme de recherche commun sur la structure physique des transistors.

Le développement des technologies visant à miniaturiser toujours plus les composants électroniques se poursuit. IBM et Hitachi viennent de signer, ce lundi 10 mars 2008, un accord de développement de deux ans “dans le but d’accélérer les rythmes d’innovations des semi-conducteurs“, annoncent les deux industriels dans un communiqué commun.

L’objet des recherches portera sur les générations 32 et 22 nanomètres des transistors. Soit des tailles de l’ordre du milliardième de mètre proches de l’échelle atomique. Les chercheurs se heurtent actuellement à des difficultés de fiabilité dans le transport des électrons entre les différentes cellules du processeur. A cette échelle, la miniaturisation des composants provoque des fuites énergétiques.

Mais la miniaturisation est un facteur de performance, comme ne cesse de le prouver la loi de Moore depuis plus de 40 ans. Cette théorie de Gordon Moore, érigée en loi, énonce un doublement du nombre des transistors (et des performances) tous les 18 à 24 mois environ à investissements constants. D’où l’intérêt que portent IBM et Hitachi aux technologies de miniaturisation. Dans un premier temps, leurs travaux porteront sur l’analyse des structures physiques des transistors afin de développer les outils qui permettront la poursuite de leur miniaturisation au-delà des 32 nanomètres.

Le 22 nm en 2011 chez Intel

La gravure 32 nm semble d’ailleurs marquer une limite dans le développement des composants des principaux fondeurs de processeurs. Intel a annoncé qu’il aborderait la gravure 32 nm en 2009 et AMD en 2010. Récemment, Intel a évoqué l’espoir de produire des processeurs en technologie 22 nm pour 2011.

Les équipes d’Hitachi et d’IBM se répartiront entre le Centre de recherches de Big Blue de Yorktown Heights à New York et le College of Nanoscale Science and Engineering, un complexe dédié aux nanotechnologies situé à Albany (Etat de New York également). Bien que les deux acteurs collaborent de longue date sur les serveurs d’entreprise, notamment, c’est la première fois qu’ils joignent leurs forces dans la recherche sur les semi-conducteurs.


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