IBM étire le silicium pour accélérer les processeurs

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Big Bue publiera prochainement les propriétés d’une nouvelle technologie de fabrication des processeurs qui permettra de les rendre plus rapides de 35 %. Cette technologie, le Strained Silicon, consiste à améliorer la circulation des atomes au sein du silicium grâce à une fine couche de “silicium étiré”. Les premiers processeurs à en bénéficier sont attendus pour 2003.

Comment augmenter la puissance de calcul des processeurs tout en diminuant leur consommation électrique et sans réduire la taille des transistors ? En “étirant” le silicium. C’est ce que vient de découvrir IBM avec une nouvelle technologie de fabrication intitulée strained silicon (littéralement “silicium tendu”) et dont il publiera les spécifications le 13 juin prochain à l’occasion du VLSI Symposium à Kyoto (Japon). On sait cependant que, dans le silicium, les atomes ont une tendance naturelle à s’aligner entre eux avec pour conséquence de créer des résistances. En déposant une fine couche de “silicium étiré” sur le substrat de silicium, les atomes s’alignent de manière plus espacée, ce qui “fluidifie” leur mouvement. Ce principe accélère de 70 % la circulation des atomes selon IBM, qui espère ainsi obtenir des processeurs 35 % plus rapides que les modèles actuels.

Outre l’optimisation des performances, le strained silicon présente un double avantage. Les procédés de fabrication ne changent pas. Seul un nombre réduit d’adaptations des lignes de montage est nécessaire. Par ailleurs, IBM démontrera que le strained silicon peut se combiner avec la technologie d’accélération des transferts de charge, la gravure sur silicon on insulator (SOI). Une combinaison qui devrait améliorer encore les performances des processeurs.

Deux ans d’avance sur la concurrence

IBM estime conserver une avance de deux ans sur ses concurrents. Il faut reconnaître qu’en la matière, Big Blue ne chôme pas. En quatre ans, IBM a mis au point cinq technologies de fabrication des processeurs : le cuivre (meilleur conducteur que l’aluminium), le Silicon on Insulator (qui accélère les transferts de charge), le Silicon Germanium (meilleure conductivité), le Low-K (meilleure isolation des composants, voir édition du 12 décembre 2000) et, aujourd’hui le strained silicon. Les premiers processeurs produits avec cette dernière technologie sont attendus sur le marché pour 2003.

Pour en savoir plus :La page (temporaire) d’IBM sur le Strained Silicium (en anglais)Lire aussi :umero=7218″ >Des radiateurs de 50 microns


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