IBM grave en 0,13 micron

Mobilité

IBM inaugure un nouveau procédé de fabrication des processeurs : le Low-K dielectric. Mélange de trois technologies, le Low-K permet de graver en 0,13 micron. Les premiers appareils bénéficiant des nouvelles puces devraient apparaître dès 2001.

A l’occasion de l’International Electron Devices Meeting, IBM a annoncé avoir lancé un nouveau procédé de fabrication des puces : le Complementary Metal-Oxide Semiconductor 9S. Le CMOS 9S est une combinaison de trois technologies : la gravure en fil de cuivre, meilleur conducteur que l’aluminium actuellement utilisé, l’architecture SOI (Silicon On Insulator) qui accélère le transfert des charges électriques des transistors, et le Low-K dielectric, une nouvelle technique d’isolation des composants. Trois technologies qui permettent d’atteindre la gravure en 0,13 micron.

De la reconnaissance vocale à la vidéo sans fil

Ce nouveau procédé permettra, selon IBM, d’accroître considérablement la puissance des processeurs destinés aux périphériques exploités pour la reconnaissance vocale, l’authentification des empreintes digitales ou encore le transfert vidéo sans fil. Les premiers produits résultant de cette nouvelle méthode de fabrication apparaîtront sur le marché en 2001. Ce sera le cas du Regatta, nom de code d’un serveur IBM quadriprocesseur, plutôt destiné au commerce électronique.

Par ailleurs, IBM a annoncé travailler sur une technique qui permet de réduire les composants d’une puce jusqu’à 10 nanomètres (10 millionièmes de millimètre). Une technique qui ne serait cependant pas exploitable avant dix ou quinze ans.

Pour en savoir plus :

* La technologie SOI (en anglais)

* La technologie cuivre (en anglais)


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