Intel investit la Ram non volatile de Samsung

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Le fondeur américain devrait investir 100 millions de dollars auprès de Samsung pour collaborer au développement et au lancement des mémoires non volatiles Direct RDRAM.

Voilà seulement quelques semaines, Samsung annonçait la naissance de nouvelles puces de mémoire vive DRAM capables de conserver des données même lorsque l’ordinateur est éteint (voir édition du 23 décembre 1998). Confiant dans l’essor de cette technologie, Intel a signé mercredi une lettre d’intention avec Samsung où il demande à investir 100 millions de dollars dans le constructeur asiatique. En échange, l’américain bénéficiera de l’équivalent de 1% des actions ordinaires du coréen à travers des bons de souscriptions convertibles en actions. Ce coup de pouce financier aidera à la fabrication, le test et l’assemblage des nouvelles puces de mémoire non volatile baptisées Direct RDRAM. La technologie de Samsung repose sur l’association DRAM/mémoire Flash avec toutefois un coût plus faible que celui des mémoires Flash. Manifestement, Intel souhaite en faire un futur standard de la micro-informatique.


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