Intel produit sa première puce en 45 nanomètres

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Avec la gravure en 45 nanomètres, le fondeur entend diviser par cinq les fuites électriques des processeurs actuels.

Le temps s’accélère chez Intel. A l’heure où le fondeur de Santa Clara lance ses premiers processeurs gravés en 65 nanomètres (nm) avec la nouvelle famille Core (Duo et Solo, voir édition du 2 janvier 2006), le premier fabricant mondial de semi-conducteurs vient de produire sa première puce en 45 nm. Il s’agit d’une mémoire vive SRAM (Static Random Access Memory) produite à des fins de démonstration et de test sur une galette (wafer) de silicium de 300 millimètres de diamètre. La puce renferme plus d’un milliard de transistors

Conformément à son calendrier de sortie, Intel prévoit de lancer la production des processeurs 45 nm dès 2007. Deux usines seront consacrées au nouveau procédé de fabrication en plus du centre de développement D1D en Oregon : la Fab 32 en Arizona et la Fab 28 en Israël (voir brève du 1er décembre 2005). Intel affichera donc un an d’avance sur son principal concurrent AMD qui ne prévoit pas d’aborder la production en 45 nm avant 2008. Et devrait lancer ses premiers processeurs 65 nm dans le courant de l’année.

La réduction de la taille des transistors permettra avant tout d’optimiser la consommation d’énergie. A condition de maîtriser les fuites électriques. Selon Intel, les processeurs en 45 nm gaspilleront jusqu’à cinq fois moins d’énergie que les processeurs actuels. Le fondeur ne précise pas s’il se référence aux composants gravés en 90 ou 65 nm. Par ailleurs, la réduction de la taille des puces autorisera la conception de plates-formes toujours plus petites et plus puissantes. Bref, avec le 45 nm, Intel prolonge la loi de Moore qui veut que le nombre de transistors d’une puce double tous les deux ans environ.


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