Le carbone, une alternative à l’utilisation de silicium dans les transistors
Des chercheurs de l’Université de Princeton vantent les mérites des feuilles de graphène.
Une équipe d’ingénieurs américains a mis au point une technique qui remplace le silicium par du carbone afin de produire une nouvelle génération de semiconducteurs. Les scientifiques de l’Université de Princeton estiment que le silicium (le matériau au coeur de tous les processeurs) a désormais atteint ses limites et que le carbone pourrait offrir une alternative viable.
Stephen Chou, professeur en génie électrique à l’Université de Princeton, explique comment le graphène, c’est-à-dire une couche d’atomes de carbone disposés en une structure nid d’abeille, permettrait un traitement de l’information et des transmissions radio dix fois plus efficaces qu’avec les produits à base de silicium.
Jusqu’à ce jour, la transition entre le silicium et le carbone était impossible car, pour être exploitable, le graphène devait être présenté sous la même forme que celle du silicium utilisé dans la fabrication des puces, c’est-à-dire un seul cristal de matière de 20 à 30 cm de large. Or, les plus grandes feuilles de graphène monocristaux jamais produites à ce jour n’atteignaient pas plus de deux millimètres de large, une taille insuffisante pour une puce.
Le professeur Chou et son équipe ont réalisé qu’il était inutile de produire une grande galette de graphène, dans la mesure où il est possible d’introduire de petits cristaux de graphène uniquement dans les zones actives de la puce.
Ils ont mis au point une méthode permettant d’y parvenir et ont démontré son efficacité en produisant des transistors en graphène ultra-performant.
« Notre approche vise à renoncer complètement aux méthodes classiques que l’industrie utilise pour les circuits intégrés à base de silicium », explique le professeur Chou.
(Traduction de l’article Carbon could replace silicon in next-gen transistors de Vnunet.com en date du 20 décembre 2007.)