Mémoire flash NAND : Toshiba va produire ses premières puces en 43 nm

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Le constructeur japonais relève un nouveau défi : produire des puces à mémoire flash gravées en 43 nm,  pour offrir de plus grandes capacités de stockage.

Toshiba a réussi à élaborer un processus de fabrication permettant de produire des puces à mémoire flash NAND gravées en 43 nanomètres (nm). Cette finesse de gravure offrirait de plus grandes capacités de stockage que celles des modules gravés de 56 nm, actuellement les plus couramment utilisés. A titre d’exemple, Intel grave aujourd’hui ses puces dernières génération en 45 nm.

Les puces à mémoire flash du constructeur japonais intègrent des cellules de type SLC (Single Level Cell), plus coûteuses mais plus rapides que la technologie MLC (Multi Level Cell), qui a comme inconvénients d’être assez gourmande en consommation d’énergie tout en ayant une durée de vie limitée.

Toshiba prévoit d’ores et déjà de lancer la production, au cours des trois premiers trimestres de l’année 2009, de 16 nouvelles puces gravées en 43 nm, avec des capacités de stockage différentes. Ainsi, le fondeur propsera des puces d’une capacité de stockage de 512 Mbits, 1Gb, 2 Gb, 4 Gb, 8 Gb, 16 Gb, 32 Gb et de 64 Gb.

Aucun prix n’a été révélé, mais il sera sûrement trop élevé, même pour la plus petite des capacités, pour permettre à ces puces d’être immédiatement intégrées à des produits utilisant des disques durs à mémoire flash, comme les netbooks.

Mais Toshiba ne détient pas de record pour le moment, puisque IBM a annoncé, en septembre dernier, avoir élaboré une stratégie permettant de produire des puces gravées en 22 nm. Intel prévoit lui de lancer dès l’année prochaine des semi-conducteurs gravés en 32 nm.


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