Mémoire : IBM accélère les performances du processeur avec l’eDRAM
Gravée en 45 nanomètres, l’eDRAM conçue par IBM consommera cinq fois moins de
la conventionnelle mémoire SRAM.
A l’occasion du International Solid State Circuits Conference (ISSCC) qui s’achève aujourd’hui à San Francisco, IBM vient de présenter une nouvelle technologie de gestion de mémoire volatile dynamique embarquée. Selon Big Blue, la eDRAM (embedded dynamic random access memory) « augmente considérablement les performances du processeur dans les environnement multi-coeur, et accélère les mouvements dans les jeux vidéo, en réseau et dans les autres applications multimédia à traitement intensif d’images ». La eDRAM vise à remplacer la mémoire statique (SRAM) qui accompagne les processeurs.
Les nouvelles performances passent notamment par l’optimisation de la densité des données et de la consommation électrique. A quantité de données équivalente, la technologie eDRAM déployée par IBM entend réduire l’espace de stockage du cache d’un tiers tout en consommant cinq fois moins d’énergie que la SRAM.
La eDRAM sur les puces Cell?
Le prototype présenté est pour le moment gravé en 65 nanomètres. Mais IBM ambitionne de produire la puce en 45 nm sous SOI (Silicon on insulator), une technologie qui réduit les fuites électriques et, donc, optimise la consommation énergétique. Le 45 nm, dont le procédé de production en 45 nm est programmé pour 2008, permettra à la nouvelle puce d’atteindre les performances optimales.
Sa disponibilité pour les constructeurs n’est pas précisée. Rappelons qu’IBM entretien un partenariat d’échange technologique avec AMD. Mais le fondeur de Sunnyvale n’a pour le moment annoncé aucune évolution de ses composants avec la eDRAM. En revanche, IBM alimente déjà les consoles de jeu PlayStation 2 et 3 de Sony (avec du PowerPC et la puce Cell). Dédiées aux traitements multimédia, ces puces pourraient être les premières à bénéficier de la technologies eDRAM.