Mémoire magnétique : IBM s’associe à TDK

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Big Blue a choisi le japonais TDK pour développer un nouveau type de MRAM.

IBM a lancé un projet de recherche visant à développer un nouveau type de mémoire magnétique (MRAM). Le projet de recherche est entrepris en collaboration avec TDK, constructeur japonais spécialiste du stockage magnétique et optique.

Les puces MRAM introduisent un nouveau concept de stockage actuellement examiné en vue de remplacer à terme la technologie Flash.

Les puces MRAM utilisent une charge magnétique pour stocker les données. Deux bandes magnétiques sont disposées ensemble, la première avec une polarité constante et la seconde avec une polarité pouvant être altérée sous l’effet d’une charge extérieure.

Une charge positive ou négative appliquée sur le plateau est ensuite utilisée pour interpréter les ‘1’ ou ‘0’ dans un système binaire. Freescale Semiconductor a introduit la première puce MRAM commerciale en 2006, dotée d’une capacité de stockage de 512 Ko.

Parce qu’elle n’utilise pas de flux électrique constant, la technologie MRam apparaît comme une forme de stockage non-volatile très intéressante pour les fabricants. Mais IBM estime que la méthode actuelle d’alimentation des cellules magnétiques en courant électrique est inefficace et qu’elle limite la capacité de la puce, ce qui rend la technologie nettement moins pratique que les puces Flash actuelles.

Pour résoudre ce problème, IBM et TDK espèrent développer un
système d’écriture qui utilise un phénomène connu sous le nom d’effet de transfert par élan de rotation (spin momentum transfer effect). Ce système utilise l’impulsion générée par la rotation des électrons pour polariser les cellules magnétiques.

Les fabricants pensent qu’une telle technique permettra aux puces MRAM d’atteindre une densité et une économie d’énergie suffisantes pour devenir une alternative viable aux puces Flash dans des appareils tels que des smartphones et des PC ultra-portables.

IBM et Intel mènent actuellement des recherches sur une autre forme de mémoire non-volatile, connue sous le nom de puce à changement de phase, qui change l’état de matière d’un alliage pour représenter les informations binaires.

Traduction d’un article de Vnunet.com en date du 21 août 2007.


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