Mémoire vive parfaite, bis repetita

Mobilité

Comme la Mram, la FeRAM est un nouveau type de mémoire qui allie deux atouts essentiels : la rapidité de la mémoire vive et le côté pratique de la Flash. L’allemand Infineon est encore de la partie… Mais cette fois-ci en compagnie de Toshiba.

Décidément, Infineon travaille activement pour faire progresser la mémoire vive. A peine quelques semaines après avoir annoncé son partenariat avec IBM sur la Magnetic RAM (voir édition du 8 décembre 2000), l’allemand forge une nouvelle alliance avec Toshiba pour développer cette fois la FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory). Et les deux types de mémoire présentent des caractéristiques très similaires, dont la principale est de pourvoir conserver les données stockées même sans les alimenter en électricité.

Des technologies non concurrentes

Selon Marius Dittert, porte-parole d’Infineon, “ces FeRAM consomment très peu. De plus, des techniques spéciales nous permettent d’en fabriquer de très petite taille. C’est pourquoi ce type de mémoire est particulièrement attractif pour les applications mobiles”. Et il a ajouté, ainsi que l’indique notre confrère américain Infoworld, que des modules de 32 Mbits à destination des téléphones mobiles devraient voir le jour dès 2002. Les premiers prototypes devraient, eux, être montrés en mars 2001. Il faut donc comprendre que FeRAM et MRAM ne sont pas concurrentes, puisque cette dernière ne sera pas disponible avant 2004 et, surtout, sera plus rapide et capable de stocker de plus gros volumes de données. Pour Marius Dittert, la MRAM sera donc plus destinée aux ordinateurs portables.

Le développement de la technologie FeRAM devrait coûter 60 millions de dollars. Toshiba et Infineon se partageront la somme à parts égales. Les futures FeRAM de 32 Mbits se baseront sur les produits 8 Mbits de même type déjà fabriqués par Toshiba, qui apporte donc son expérience dans le domaine. L’expérience d’Infineon dans le domaine des mémoires devrait permettre d’augmenter le nombre maximum de cycles écriture/lecture que la mémoire sera capable de supporter. Le constructeur compte utiliser un processus de fabrication utilisant une gravure à 0,25 micron.


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