DRAM : OCZ perd son P-DG Ryan Petersen

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Alex Mei OCZ

Changement à la tête du groupe américain OCZ, spécialiste de la mémoire flash et du stockage SSD. Ryan Petersen quitte le poste de P-DG qu’il occupait depuis 2002. Alex Mei le remplace par intérim.

Vice-président et directeur marketing du groupe américain OCZ, Alex Mei est investi au poste de P-DG par intérim, en remplacement de Ryan Petersen.

Cofondateur et dirigeant historique de l’entreprise, Petersen est officiellement démissionnaire après dix ans d’exercice aux rênes d’OCZ.

Lui qui menait la barque depuis les origines, en 2002, s’est exprimé par communiqué, affirmant tirer sa révérence en bons termes avec une société qu’il a “exaltée dans sa position d’outsider sur le segment de la DRAM pour en faire une référence sur le marché de la mémoire flash“.

En poste chez OCZ depuis 2004, Alex Mei lui succède avec à son actif “une haute considération de la part de ses pairs“.

Mais quel est le pourquoi d’un revirement si soudain ? Les rumeurs concordent en des erreurs stratégiques conjuguées à des résultats financiers en deçà des espérances.

Bright Side Of News évoque notamment l’échec de négociations amorcées au cours de l’été avec Seagate, et qui devaient déboucher sur un éventuel rapprochement, voire un rachat, jamais concrétisé.

Des discussions avec l’Américain Micro Technology, fortement impliqué sur le créneau de la DRAM, auraient elles aussi tourné au vinaigre.

Entreraient également en ligne de compte, plusieurs tentatives avortées sur le front des cartes graphiques, des systèmes de refroidissement ou encore des périphériques informatiques.

Si OCZ a un tant soit peu diversifié son offre avec des blocs d’alimentation électrique et des clés USB, son activité principale reste les SSD, constitutifs du plus clair de ses ventes.

Mais une réputation de loup blanc en matière de fiabilité et l’émergence de nouveaux acteurs sur le marché ont semble-t-il primé sur l’aura des technologies innovantes, dont la dernière en date : l’affinement de la gravure des puces mémoire à 20 nm.


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