Press release

Le dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (DES) de Toshiba équipé de la technologie des procédés à 0,13 μm destinée aux semi-conducteurs analogiques de puissance améliore les caractéristiques DES

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TOKYO–(BUSINESS WIRE)–Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a mis au point un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (DES) destiné aux applications à semi-conducteurs analogiques de puissance, fabriqué avec la technologie avancée des procédés à 0,13 μm qui optimise la structure des transistors et améliore sensiblement les caractéristiques de décharges électrostatiques (DES). La protection DES est jusqu’à quatre

TOKYO–(BUSINESS WIRE)–Toshiba
Corporation
(TOKYO : 6502) a mis au point un dispositif de
protection contre les décharges électrostatiques (DES) destiné aux
applications à semi-conducteurs analogiques de puissance, fabriqué avec
la technologie avancée des procédés à 0,13 μm qui optimise la structure
des transistors et améliore sensiblement les caractéristiques de
décharges électrostatiques (DES). La protection DES est jusqu’à quatre
fois plus fiable, et l’écart-type n’est que le 1/12e de la structure
traditionnelle. L’analyse des simulations 3D a également permis à
Toshiba d’identifier un mécanisme permettant d’optimiser la structure
des transistors et de renforcer la fiabilité DES. Toshiba a annoncé ces
progrès au symposium international sur les semi-conducteurs
« ISPSD2016 » qui s’est tenu en République tchèque le 14 juin
2016.


L’injection de décharges électrostatiques excessives, à partir du corps
humain ou des équipements, peut potentiellement détruire les dispositifs
à semi-conducteurs, car les courants DES provoquent une augmentation
locale des températures à l’intérieur du silicium. Les dispositifs de
protection DES sont nécessaires pour protéger les circuits internes.
Ceci est particulièrement vrai pour les dispositifs à semi-conducteurs
analogiques de puissance qui doivent appliquer 10 V à 100 V, ce qui
nécessite une tension nominale élevée. Les dispositifs de protection DES
doivent dans ce cas assurer un courant élevé, et cela entraîne des puces
de plus grande taille. La réduction de la taille des dispositifs de
protection DES pose problème pour réaliser des puces plus compactes.

En utilisant une analyse de simulation 3D d’un événement DES, Toshiba a
découvert que la destruction par décharges électrostatiques est due à
une augmentation de la température du réseau due au courant circulant au
point culminant du champ électrique. La modification de la structure des
transistors, en prolongeant la région à faible résistance du drain en
direction de la source et en éliminant la résistance latérale du
silicium, fait basculer le courant de la partie inférieure du drain en
direction de la source et le détache du point culminant du champ
électrique. Cette conception optimisée s’est avérée renforcer quatre
fois la fiabilité DES et diminuer jusqu’à 12 fois l’écart-type. La
taille exigée par le dispositif pour un modèle HBM* ±2 000 V
a été par ailleurs réduite de 68 %.

Toshiba propose des plateformes analogiques avancées, avec la
technologie des procédés à 0,13 μm, qui peuvent être incorporées avec
des transistors de type CMOS, DMOS, des transistors bipolaires et les
dispositifs passifs tels que les résistances et les condensateurs.
L’utilisateur peut sélectionner un procédé adapté à chaque application à
partir des trois plates-formes de procédés suivantes : « BiCD-0.13 » est
principalement destiné au secteur automobile (la gamme DMOS passe à
100 V) ; « CD-0.13BL » est principalement destiné aux pilotes de
commande moteur (la gamme DMOS passe à 60 V) ; et le procédé « CD-0.13 »
est principalement destiné à la gestion de l’alimentation des circuits
intégrés (la gamme DMOS passe à 40 V).

Toshiba envisage de lancer des produits utilisant le procédé CD-0.13
appliqué à cette technologie en 2017 et continue de les mettre en œuvre
de manière proactive sur d’autres plateformes de procédés pour améliorer
les caractéristiques de décharge électrostatique.

* Modèle du corps humain (Human Body Model, HBM) : l’un des paramètres
indiquant la fiabilité DES

À propos de Toshiba
Toshiba
Corporation, une entreprise du classement Fortune Global 500, canalise
ses compétences de classe mondiale en produits et systèmes électroniques
et électriques de pointe, et se concentre trois domaines d’activités : L’énergie
qui soutient une vie de tous le jours plus propre et plus sécurisée ; L’infrastructure
qui soutient la qualité de vie ; et le stockage qui
soutient une société d’information avancée. Guidée par les principes
d’engagement élémentaire du groupe Toshiba, « Engagé pour les autres,
engagé pour l’avenir » (Committed to People, Committed to the Future),
Toshiba promeut des opérations mondiales et contribue à la réalisation
d’un monde dans lequel les générations futures vivront mieux.

Fondée à Tokyo en 1875, la société Toshiba se situe aujourd’hui au cœur
d’un réseau mondial de plus de 550 entreprises consolidées, employant
plus de 188 millions de personnes à travers le monde, avec des ventes
annuelles dépassant les 5,6 billions JPY (50 milliards USD). (au 31 mars
2016).
Pour en savoir plus sur Toshiba, consultez le site www.toshiba.co.jp/index.htm

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière
être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse
foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction
devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Contacts

Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi
Tanaka / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Groupe de promotion de la
communication IR
Division de planification des activités
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp