Press release

TankeBlue augmente sa production de tranches 3″ en carbure de silicium (SiC)

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PEKIN, August 31 /PRNewswire/ — TankeBlue Semiconductor Co. Ltd., un pionnier dans l’industrie du SiC (carbure de silicium) dans la région Asie Pacifique, a récemment augmenté sa production de tranches 3″ en carbure de silicium de haute qualité. En cours d’année, TankeBlue a réduit le prix de ses tranches 2″ à un niveau record en

PEKIN, August 31 /PRNewswire/ —

TankeBlue Semiconductor Co. Ltd., un pionnier dans l’industrie du SiC (carbure de silicium) dans la région Asie Pacifique, a récemment augmenté sa production de tranches 3″ en carbure de silicium de haute qualité. En cours d’année, TankeBlue a réduit le prix de ses tranches 2″ à un niveau record en réponse aux demandes croissantes du marché par les clients de SiC dans le monde entier. Actuellement, la société peut fournir à grande échelle des tranches 4H-SiC 3″ conductrices de type n avec une densité de micro-pipe inférieure à 10 cm-2, ce qui est un paramètre de qualité clé pour les applications. Les autres paramètres de qualité clés comme la résistivité (inférieure à 0,03 ohm.cm), la largeur totale à mi-hauteur (FWHM : 30 arcsec) de la courbe en diffraction des rayons X de la tranche 4H-SiC 3″ rendent aussi sa qualité très compétitive par rapport à d’autres fournisseurs des Etats-Unis et d’Europe. De plus, la qualité de traitement des tranches SiC est prouvée comme étant prête à l’épitaxie (epiready), ce qui est excellent pour la croissance des couches épitaxiales GaN et/ou SiC sur la tranche SiC. Les dispositifs utilisant SiC, comme la diode de barrière de Schottky, le transistor à effet de champ MOS, traités sur la tranche par les clients, ont démontré des performances élevées comparables à celles sur les tranches SiC d’autres fournisseurs. Il est clair que cela fait de TankeBlue une nouvelle source d’approvisionnement de tranches SiC 3″, ce qui est bienvenu pour la communauté mondiale des semiconducteurs SiC.

Comme cela est bien connu, les dispositifs semiconducteurs à base de silicium ont des difficultés à fonctionner à des températures supérieures à 523 K. Cela limite les fonctions et applications des dispositifs à base de silicium. Du fait de ses excellentes propriétés thermiques et électriques, la tranche SiC de type n est un substrat idéal pour la fabrication des dispositifs de puissance SiC dans les applications à haute température, haute puissance, haute fréquence et hautes radiations et pour les exigences d’économie d’énergie. Les efforts de la société dans le développement de la croissance des cristaux de SiC 4″ afin de devenir l’un des acteurs majeurs sur le marché des tranches sont déjà en marche.

    
    Pour plus d'informations, veuillez contacter :

    Alley Shi
    TankeBlue Semiconductors Co. Ltd.
    Tél. : +86-10-6267-0611
    Courriel : TKHD-Sales@tankeblue.com
    Site Internet : http://www.tankeblue.com

Source : TankeBlue Semiconductor Co. Ltd.