RLDRam, le futur de la SDRam ?

Mobilité

En s’appuyant sur l’architecture de la SDRam, la RLDRam offrira un débit plus élevé (2,4 Go/s) et surtout un temps d’accès divisé par deux (25 ns). Infineon et Micron, les initiateurs de la norme, destinent ce nouveau type de mémoire aux produits réseau large bande.

Les fabricants de puces Infineon Technologies et Micron Technology ont signé un accord de codéveloppement d’une nouvelle génération de mémoire : la Reduced Latency DRam (RLDRam). Celle-ci devra répondre aux besoins croissants en bande passante et en vitesse de traitement. Initiée par Infineon, la RLDRam repose sur une nouvelle architecture basée sur une SDRam enrichie de l’interface DDR (Double Data Rate) et cadencée à 300 MHz. Les premiers produits devraient atteindre des débits de 2,4 Go/s pour les modèle en bus 32 bits (8 modules de 32 bits) et 1,2 Go/s pour les bus 16 bits (16 modules de 16 bits). Actuellement, la SDRam DDR n’atteint “que” les 2 Go/s (2,1 Go/s pour la SDRam DDR 266 MHz). Par ailleurs, le temps d’accès aux cellules mémoires (où sont stockées les données) est inférieur à 25 nanosecondes (22,9 ns précisément). Soit moins de la moitié du temps de latence requis par la SDRam (d’environ 50 ns). Enfin, là où la SDRam requiert 3,3 volts pour fonctionner, la RLDRam se limitera à 2,5. Les premiers modèles devraient apparaître au prochain trimestre pour une production industrielle prévue en 2002.

Un bon compromis

La RLDRam semble donc se positionner comme un bon compromis en attendant l’arrivée de mémoires innovantes comme la MRam (voir édition du 8 décembre 2000) et la FeRam (voir édition du 21 décembre 2000). Deux projets où l’on retrouve… Infineon. La MRam (Magnetic random access memory), en collaboration avec IBM, combine la non-volatilité de la technologie Flash avec la vélocité de la SDRam. Soit une SDRam qui conserverait ses données même sans alimentation électrique. Mais les difficultés de production industrielle repoussent l’arrivée de la MRam à 2004. Comme la MRam, la FeRam (Ferroelectric Random Access Memory), développée en partenariat avec Toshiba, a la propriété de conserver les données sans nécessiter d’énergie constante. Et sa taille réduite la destine essentiellement aux appareils mobiles. Les premiers modules devraient être utilisés dans les téléphones mobiles pour 2002.


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