Samsung grave la mémoire flash en 51 nanomètres
Nouveau record de miniaturisation pour Samsung qui annonce ainsi une
optimisation de 80 % de la vitesse sur ses modules flash NAND.
Samsung vient d’annoncer son intention de produire en masse des modules de mémoire Flash NAND à 16 Gbits, soit 2 Go, gravés en 51 nanomètres (nm) contre 60 nm précédemment. Le constructeur coréen se détermine ainsi comme le premier producteur de mémoire flash de 2 Go d’une telle finesse de gravure.
La mémoire Flash NAND permet de conserver les informations même sans être alimentée en énergie. Elle se destine principalement aux périphériques mobiles comme les appareils photos numériques, les baladeurs audio et vidéo, les consoles de jeux portables et les téléphones mobiles sous forme de cartes mémoires (CompactFlash, SD, MMC, Memorystick, xD Card…).
L’émergence des premiers SSD (Solid State Drive), les disques durs intégralement en mémoire flash, notamment du côté de SanDisk mais aussi Samsung ou Dell, confirme l’intérêt des acteurs pour la technologie. Le marché de la mémoire flash est estimé à 21 milliards de dollars pour 2010.
Des cartes mémoires à 16 Go
La gravure en en 51 nm permet d’optimiser la production des composants (plus de puces sur une même surface de silicium) et donc les coûts de fabrication. On peut donc espérer que ces économies se retrouveront dans les produits finaux, ce qui se traduit généralement par plus de mémoire à tarif équivalent avec ceux de la précédente génération. Selon Samsung, les nouveaux modules gravés en 51 nm permettront la généralisation de cartes mémoire à 16 Go contre 8 Go aujourd’hui.
D’autre part, le constructeur coréen déclare avoir accéléré la vitesse de traitement des données de 80 % sur ses nouveaux modules. Soit 30 et 8 Mo/s respectivement en lecture et écriture
contre 17 et 4,4 Mo pour la génération des puces Flash gravées en 60 nm. Toujours avec un processus de correction d’erreur (ECC) sur 4 bits.
Leader sur le marché de la mémoire flash avec environ 50 % des parts, Samsung pourrait bien être rejoint par la concurrence. Toshiba principalement. Le 17 avril 2007, le constructeur japonais a présenté des modules Flash NAND de 2 Go gravés en 56 nm. Et a annoncé son intention d’aborder la production en 43 nm en 2008. Ce qui devrait diminuer ses coûts de production de 40 %.