Un groupe de chercheurs américains affirme avoir mis au point le transistor le plus rapide au monde. Battant leur propre record de vitesse, les scientifiques de l’University of Illinois at Urbana-Champaign ont présenté lors d’une démonstration un transistor capable de fonctionner à une fréquence de 845 GHz.
L’équipe se félicite des capacités de ce transistor en phosphure d’indium et en arséniure de gallium-indium, qui serait plus rapide que son concurrent le plus proche de l’ordre de 300 GHz.
Le nouveau transistor utilise une forme pseudomorphe des couches base-collecteur, explique Milton Feng, professeur de génie électrique et informatique dans l’Illinois. « La composition de ces composants augmente la vitesse des électrons, ce qui permet de réduire la densité de courant et la durée de chargement. » Avec un tel dispositif, Milton Feng pense pouvoir atteindre enfin le « Saint Graal » du transistor térahertz.
Les chercheurs ont non seulement utilisé une construction de matière pseudomorphe, mais ont également affiné leur procédé de fabrication de telle manière à produire des composants transistors les plus petits possibles. La base du transistor ne mesure que 12,5 nm d’épaisseur.
« En élaborant le produit de manière verticale, nous avons réduit la distance de parcours des électrons, ce qui a permis d’améliorer la vitesse du transistor », explique l’étudiant en doctorat William Snodgrass. « La taille du collecteur a également été réduite latéralement, augmentant ainsi la vitesse de chargement et de déchargement du transistor. »
Traduction d’un article de Vnunet.com en date du 13 décembre 2006
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