Intel envisage la gravure en 65 nanomètres pour 2005

Alors qu’il applique la gravure en 90 nanomètres (nm), soit 0,09 micron, à l’échelle industrielle pour le Prescott, dont la sortie est annoncée pour début 2004 (voir édition du 17 novembre 2003), Intel a confirmé son intention d’atteindre les 65 nm pour 2005 sur des galettes de 300 mm. Cette finesse de gravure devrait permettre au fondeur de doubler le nombre de transistors sur une surface donnée. Le Pentium 4 comptant 55 millions de transistors, on peut donc s’attendre à dépasser les 100 millions d’ici deux ans. Le procédé sera notamment appliqué au Tejas, nom de code du futur processeur d’Intel qui bénéficiera par ailleurs de la technologie strained silicon de seconde génération, laquelle optimise la vitesse de traitement des transistors pour seulement 2 % de coûts de production supplémentaires, selon le fondeur.

Un processeur plus performant et plus économe

Intel a fait la démonstration de son savoir-faire en produisant une mémoire SRAM de 4 Mbits sur une cellule de 0,57 micron carré de surface. La taille du transistor ne dépasse pas les 35 nm, à comparer avec les 50 nm de ceux du Pentium 4. Le Tejas sera donc, en théorie, plus performant que le P4 actuel, plus économe en termes de consommation électrique et moins cher à produire proportionnellement. Il pourrait d’ailleurs intégrer une plus grande mémoire cache et des fonctions de reconnaissance vocale. Sa fréquence devrait démarrer à 4 GHz ou plus. Effet d’annonce ou réelles performances ? En promettant le 65 nm pour 2005, Intel pourrait bien être le premier fondeur à franchir une telle finesse de gravure. Son principal concurrent, AMD, ne compte aborder le 90 nm qu’en 2004 et le 65 nm pas avant 2006. Intel, de son côté, se dirigera vers la gravure en 45 nm et le milliard de transistors.