Mémoire Flash : Intel et Micro misent sur leur puce NAND 25 nm

Intel et Micron, fournisseur de solutions de pointe à base de semi-conducteurs, ont joint leurs efforts au sein d’une co-entreprise, baptisée IM Flash Technologies (IMFT), pour mettre au point la première puce NAND gravée en 25 nanomètres.

Ce processeur de mémoire Flash, gravé pour la première fois en 25 nm, offre une capacité accrue de stockage.

Grâce à cette finesse de gravure et à sa superficie de 167 mm2, cette puce NAND, selon les indications fournies par Intel et Micron, peut embarquer jusqu’à 8 Go de données, soit un doublement de la capacité de stockage par rapport aux précédentes puces NAND gravées en 34 nm.

Cette nouvelle puce de mémoire Flash offre de réduire le coût de production de 0,5 dollar par Go, contre 1,75 dollar/Go lorsque cette puce est gravée en 50 nm.

Avec une production de masse qui devrait démarrer dès le deuxième trimestre de cette année, la puce NAND d’IM Flash Technologies devrait s’intégrer, dès la fin de cette année, dans les unités de stockage SSD (Solid State Drive) proposées par Intel et Micron, qui devraient proposer des capacités de 160, 320 et 600 Go.

Cette puce à mémoire Flash pourra aussi trouver sa place dans des appareils électroniques de dernière génération, comme des smartphones ou des baladeurs multimédia pour en améliorer les capacités de stockage.