Samsung investit massivement dans les technologies de mémoire

(Correction 30/09/05 à 11h30) Samsung Electronics lance un vaste plan d’investissement destiné à renforcer ses capacités de recherche et développement (R&D) et ses ressources en production dans les semi-conducteurs. Le groupe électronique sud-coréen compte investir 33 milliards de dollars (27,4 milliards d’euros) [NDLR, et non 22 milliards comme précédemment indiqué] dans un programme de développement de son usine de Hwaseong, située à une trentaine de kilomètres au Sud de Seoul.

Une seconde unité locale va être mise en place avec un bâtiment dédié à la R&D et huit chaînes de production d’ici 2012. Sachant que le groupe coréen exploite déjà cinq centres R&D dédiés à ses secteurs de prédilection (semi-conducteurs, télécoms, supports et convergence numérique) et quinze chaînes de production.

Le nouveau pôle R&D, qui devrait ouvrir ses portes en mai 2006, se concentrera sur les innovations portant sur les nanotechnologies, les technologies de conduite de processus et les nouveaux matériaux pour les mémoires comme pour les puces systèmes à grande intégration (LSI).

Samsung souhaite développer également les technologies de mémoire et de logique en produisant des circuits comme les PRAM (Phase change random access memory), les FRAM (Ferroelectric Random Access Memory), les DRAM (Dynamic Random Access Memory), la mémoire Flash et les capteurs d’images CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor).

Samsung veut conserver sa position de leader sur certains marchés des composants électroniques. Par exemple, dans le domaine de la DRAM, le fournisseur high-tech dispose d’une part de marché de 31% au premier trimestre 2005, suivi par son concurrent américain Micron Technology (16,8%), lui-même talonné par un autre groupe sud-coréen Hynix Semiconductor (16,5%).

Position de force dans les cartes mémoires

Dans le domaine des cartes mémoire, en forte progression actuellement avec l’arrivée des téléphones baladeurs, Samsung dispose d’une part de marché de 60% avec la technologie Flash NAND. Mi-septembre, le groupe coréen a présenté la mémoire Flash NAND la plus dense au monde (une puce NAND multi-niveau de 16 Gbit).

Pour le volet télécoms, Samsung porte une attention particulière à la technologie haut débit sans fil WiBro (Wireless Broadband), un standard né en Corée qui serait très proche des performances du WiMax.

En 2004, Samsung, qui exploite 90 sites dans 48 pays, a réalisé un chiffre d’affaires de 55,2 milliards de dollars et affiche des bénéfices d’un montant de 10,3 milliards de dollars.