Toshiba a annoncé le développement d’une puce mémoire Flash Nand de 16 gigaoctets, qui sera fabriquée selon une technologie en 43 nanomètres, mise au point avec la collaboration de SanDisk. Cette puce s’étend sur une superficie de seulement 120 mm², soit 30% de moins que celle des mémoires Flash Nand de même densité mises au point par Toshiba et SanDisk et produites selon un procédé en 56 nanomètres.
Les cellules mémoires sont groupées et contrôlées en chaînes Nand de 64 cellules alignées en parallèle, soit le double des modèles en 56 nanomètres, avec une fausse ligne de mots de chaque côté afin d’éviter les perturbations du programme.
A en croire Toshiba, cette technologie contribue à réduire le nombre de grilles et à améliorer l’efficacité de la zone de mémoire.
Toshiba commencera à fournir des échantillons commerciaux de ses nouvelles mémoires Flash Nand à cellules multiniveaux de 16 Go dès aujourd’hui et entamera la production de masse à compter du mois de mars. La production de masse des mémoires Nand Flash de 32 Gb est attendue pour le début du troisième trimestre 2008.
Traduction de l’article Toshiba shrinks memory chips by 30 per cent de Vnunet.com en date du 8 février 2008
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