Transistors « 2D » : une fenêtre sur le wearable computing

C’est une première dont on mesure encore mal les retombées : deux groupes de scientifiques – l’un issu de l’Argonne National Laboratory à proximité de Chicago ; l’autre de l’Université de Californie – ont développé des transistors en deux dimensions.

Contrairement aux modèles planars, ces transistors dits « 2D » ne sont épais que d’une ou de quelques couches d’atomes. Ils émergent l’heure où les chercheurs s’accordent à dire que la miniaturisation des process CMOS bulk atteint ses limites.

Cet écueil, les matériaux 2D pourraient justement l’écarter en offrant un meilleur contrôle du canal et en limitant les effets liés au canal court – un problème qui s’accentue avec la finesse de gravure.

L’autre bénéfice majeur lié à la finesse de ce type de transistor, c’est sa flexibilité, qui laisse entrevoir des applications relevant de l’électronique portables, notamment au travers des écrans flexibles.

Pour l’heure, il ne s’agit que d’une proof-of-concept. Les chercheurs doivent maintenant plancher pour élaborer une méthode permettant d’imprimer ces nouveaux composants à grande échelle… et valoriser leurs travaux, qui contraste avec ceux des principaux fabricants de semi-conducteurs autour des transistors FinFET « 3D ». Intel et TSMC ont franchi le pas ; GlobalFoundries et UMC y passeront également, avec le 14 nm, comme le note Silicon.fr.

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