Union sacrée pour nouvelle génération de Dram

Hyundai, Infineon, Intel, Micron Technology, Nec et Samsung ont signé hier un accord de principe pour le développement d’une nouvelle architecture de mémoire DRAM (Dynamic Ram). Ces six compagnies se sont mises d’accord pour produire à l’horizon 2003 une nouvelle génération de mémoire vive, destinée à être intégrée dans la plupart des appareils électroniques. Deux raisons majeures peuvent expliquer ce regroupement. Pour les fabricants de mémoire, le but est de réussir à mutualiser leurs efforts financiers de développement. Histoire de proposer un produit moins cher mais, on l’espère tout aussi performant, que l’actuelle mémoire Rambus, à la fois très peu disponible et vendue à des tarifs prohibitifs. Pour Intel, il s’agit de s’assurer que ses futurs processeurs et chipsets seront parfaitement compatibles avec les standards de mémoires à venir.

Plus que le marché PC, c’est à l’ensemble de l’industrie électronique que ce consortium souhaite proposer ses nouvelles mémoires. En effet, le développement d’ici les prochaines années de décodeurs TV numériques, de magnétoscopes sans cassette et de nouvelles consoles de jeu connectables à Internet, va entraîner une demande assez considérable de mémoires rapides à bas prix. Ce qui explique aussi la présence d’Intel au sein de cette alliance, le fondeur étant, pour l’instant, très peu impliqué dans ces domaines d’activités.

Pour en savoir plus :

* Hyundai

* Infineon Technology

* Intel

* Micron Technology

* NEC

* Samsung