Vers la gravure des processeurs en 10 nanomètres

La semaine dernière, à l’occasion du salon informatique de Taipeh, le fondeur taiwanais TSMC annonçait avoir réussi à fabriquer un processeur doté de transistors de 9 nanomètres (nm) ou 0,09 micron d’épaisseur. Rappelons que le Pentium 4 est actuellement gravé en 130 nm et qu’Intel compte lancer la fabrication de ses puces en 90 nm l’année prochaine et en 65 nm en 2005. TSMC promet donc une gravure d’une taille dix fois inférieure à ce qui existe actuellement. Pour le fondeur, cette finesse de gravure ouvre la voie à des processeurs de la taille d’un ongle et dotés de la puissance d’un super-calculateur.

Du côté américain, des chercheurs de l’université de Princeton (New Jersey), dirigés par Stephen Chou, viennent d’annoncer avoir mis au point une méthode de gravure plus rapide et plus efficace, en termes de miniaturisation, que la lithographie par ultraviolets employée aujourd’hui. Le processus mis au point permet d' »imprimer » directement sur le silicium le modèle des transistors architecturés en registres. Cette méthode permet de graver à la taille, là aussi record, de 10 nm. Mieux, elle grave en un quart de millionième de seconde un modèle qui nécessite entre 10 et 20 minutes en lithographie traditionnelle.

Intitulée Laser-Assisted Direct Imprint (LADI), cette technologie permettra de fabriquer des processeurs ultra puissants tout en optimisant les coûts de production. Encore faut-il qu’elle fonctionne à l’échelle industrielle, tout comme celle avancée par TSMC. En cas de succès, la loi de Moore sera respectée encore longtemps.