Toshiba Memory Corporation développe la première mémoire flash 3D dotée de la technologie TSV au monde

Permet une entrée et une sortie de données à grande vitesse, une
faible consommation énergétique et une grande capacité

TOKYO–(BUSINESS WIRE)–Toshiba
Memory Corporation, le leader mondial en solutions de mémoire, a
annoncé aujourd’hui le développement de la première ^[1]
mémoire flash tridimensionnelle au monde (3D) BiCS FLASH™ ^[2]
utilisant la technologie Through Silicon Via (TSV)^[3] avec la
technologie de 3 bits par cellule (cellule triple niveau, triple-level
cell, TLC). Les expéditions de prototypes à des fins de développement
ont commencé en juin et les échantillons de produits devraient être
disponibles durant la seconde moitié de 2017. Le prototype de ce
dispositif révolutionnaire sera exposé du 7 au 10 août dans le cadre du
Sommet de mémoire flash 2017 de Santa Clara, en Californie, USA.

Les dispositifs fabriqués à l’aide de la technologie TSV comportent des
vias et des électrodes verticales qui traversent les microcircuits en
silicium pour assurer des connexions, une architecture qui réalise une
entrée et une sortie de données à grande vitesse, tout en réduisant la
consommation énergétique. La performance en situation réelle a été
prouvée précédemment avec l’introduction de la mémoire flash NAND 2D de
Toshiba^[4].

En combinant un processus flash 3D à 48 couches et la technologie TSV,
Toshiba Memory Corporation a réussi à augmenter la bande passante de
programmation du produit tout en réduisant la consommation énergétique.
L’efficacité énergétique ^[5] d’un seul boîtier est environ
deux fois ^[6] celle de la mémoire BiCS FLASH™ de même
génération fabriquée à l’aide de la technologie de câblage filaire. TSV
BiCS FLASH™ permet également d’obtenir un dispositif de 1 téraoctet (To)
doté d’une architecture empilée de 16 carrés dans un seul boîtier.

Toshiba Memory Corporation commercialisera BiCS FLASH™ avec la
technologie TSV pour fournir une solution idéale pour les applications
de stockage nécessitant une faible latence, une large bande passante et
une IOPS élevée^[7]/Watt, y compris des SSD d’entreprise haut
de gamme.

Note :
[1] Source : Toshiba Memory Corporation, le 11 juillet
2017.
[2] Une structure empilant des cellules de mémoire flash à la
verticale sur un substrat de silicium pour réaliser des améliorations de
densité significatives par rapport à la mémoire Flash NAND planaire où
les cellules sont formées sur le substrat de silicium.
[3] Through
Silicon Via: technologie dans laquelle des vias et des électrodes
verticales traversent les carrés de silicium pour une connexion dans un
seul boîtier.
[4] « Toshiba développe la première mémoire Flash
NAND empilée à 16 carrés dotée de la technologie TSV »
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5]
Le taux de transfert de données par unité de puissance. (Mo/s/W)
[6]
Comparé aux produits actuels de Toshiba Memory Corporation.
[7]
Entrée Sortie par seconde : Nombre d’entrées et de sorties de données
pour un traitement via un port I/O par seconde. Une valeur supérieure
indique une meilleure performance.

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