Le premier FET GaN avec seuil de 4 volts et les nouvelles méthodes de
développement de système de puissance résultent de l’expérience sur le
terrain
GOLETA, Californie–(BUSINESS WIRE)–Transphorm
Inc.—concepteur et fabricant leader du premier et du plus fiable
JEDEC et des semi-conducteurs de nitrure de gallium (GaN) qualifiés
AEC-Q101, a annoncé aujourd’hui la disponibilité de ses FET GaN de 650
volts (V) de troisième génération (Gen III). Les transistors de
puissance basés sur la technologie Gen III réduisent l’interférence
électromagnétique (EMI), augmentent l’immunité du bruit de la grille et
accroissent la hauteur libre dans les applications de circuit.
La toute dernière évolution de la plateforme
primée résulte des connaissances acquises des travaux effectués par
l’équipe Transphorm avec les clients sur des conceptions de produits
finis actuellement en production ou à sortir prochainement. Les
dispositifs Gen III lancés sont le FET TP65H050WS de 50 mΩ et le FET
TP65H035WS de 35 mΩ, tous deux disponibles en boîtiers TO-247 standard.
Transphorm dans le domaine = Avantages en termes de développement de
produit
Transphorm est l’une des rares sociétés de semi-conducteurs GaN à avoir
atteint chaque stade critique de développement FET. Par conséquent, les
connaissances obtenues durant les projets de développement des clients
ainsi que les plateformes Gen I et Gen II peuvent être appliquées à la
technologie GaN-on-Si afin d’augmenter la qualité, fiabilité et la
performance du transistor. Des données sont souvent recueillies pour
informer également des techniques de développement qui peuvent
simplifier la complexité de la conception, augmenter la marge de
sécurité, et/ou affecter de manière positive la performance du système
de puissance.
La recherche qui a abouti à Gen III a créé les deux opportunités : les
avantages accrus aujourd’hui inhérents à la technologie GaN elle-même et
les nouvelles méthodes de conception qui augmentent la performance du
FET. En outre, les innovations en conception et en fabrication
permettent à Transphorm de réduire le prix du dispositif pour augmenter
le retour sur investissement.
Sur le plan technologique, l’incorporation d’un nouveau MOSFET ainsi que
d’autres modifications de conception permettent aux dispositifs Gen III
de fournir :
-
Une tension de seuil accrue (immunité au bruit) à 4 V par rapport à
2,1 V pour Gen II, ce qui rend une commande de grille négative
superflue. -
Une cote de fiabilité de ±20 V, en augmentation de 11 % par rapport à
Gen II.
La commutation est ainsi plus silencieuse et la plateforme améliore la
performance à des niveaux de courant plus élevés avec une simple
circuiterie externe.
En ce qui concerne les techniques de conception apprises, Transphorm a
publié des solutions élégantes pour la suppression de l’oscillation dans sa
note d’application 0009 : Circuiterie externe recommandée pour les FET
GaN Transphorm. Les exemples de recommandations incluent
l’utilisation d’amortisseurs RC de bus DC et d’amortisseurs RC à nœud de
commutation qui améliorent la stabilité sans nuire à l’efficacité. En
particulier, les solutions peuvent être avantageuses pour les topologies
PFC de mât totémique demi-pont et sans pont.
« Il est important que nous évoluions notre technologie GaN en fonction
des exigences du client et de l’expérience en situation réelle. Nos FET
Gen III exemplifient ce qui est possible lorsque nous adhérons à cette
philosophie élémentaire », a déclaré Philip Zuk, vice-président du
marketing technique chez Transphorm.
« Nous avons créé un FET GaN haute tension plus rentable et plus sûr.
Nous espérons que les clients verront dans ces transistors de nouveaux
semi-conducteurs de puissance assurant une efficacité inestimable, une
capacité de traitement à haute puissance ainsi que d’autres avantages en
termes de performance et de facilité d’emploi » a ajouté Dr. Yifeng Wu,
vice-président directeur de l’ingénierie chez Transphorm.
Détails de la gamme de produits Gen III de 650 V
Disponibilité : Actuellement disponibles
-
Prix unitaire du TO-247 TP65H050WS de 50 mΩ : 8,86 USD (vendu en lots
de 1000 unités) -
Prix unitaire du TO-247 TP65H035WS de 35 mΩ : 11,55 USD (vendu en lots
de 1000 unités)
Puissance de sortie optimale : Applications de 1,5 kW à 5,0 kW selon les
critères de conception
Marchés d’application :
- Industriel général
- Centres de données
- Alimentations de vendeurs
- Énergies de remplacement
Ressources de conception de soutien :
- Fiche techniques
- Kit d’évaluation
- Modèle SPICE
- Papier blanc de qualité
Bienvenue à la révolution GaN !
Transphorm conçoit et fabrique les semi-conducteurs GaN les plus
performants et les plus fiables pour les applications de conversion de
puissance à haute tension. Transphorm, qui possède l’un des plus
importants portefeuilles IP Power GaN (plus de 1000 brevets déjà émis ou
en instance dans le monde entier), produit les seuls FET GaN
certifiés JEDEC et AEC-Q101 du secteur. Cela grâce à une approche à
intégration verticale permettant d’innover à chaque stade du
développement : matériaux, conception et fabrication des dispositifs,
fabrication, emballage, conceptions circuit de référence et prise en
charge d’applications. Transphorm : amener l’électronique de puissance
au-delà des limites du silicium. Site Web : transphormusa.com
Twitter : @transphormusa
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être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse
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