Développement d’un système d’alimentation de CA à CC simplifié
pour les applications serveur, automobile et industrielle
GOLETA, Californie–(BUSINESS WIRE)–Transphorm Inc.
a publié aujourd’hui la première version complète de la conception de
référence de la correction du facteur de puissance (PFC) pour les
systèmes d’alimentation en nitrure de gallium (GaN) haute tension
totem-pôle sans pont de 3,3 kilowatts (kW) fonctionnant en mode de
conduction continue (CCM). Le schéma technique est utilisé pour
développer des applications CA à CC :
-
PFC frontaux haut de gamme pour les alimentations commerciales
(serveurs, jeux, minage de cryptomonnaies, et applications similaires
de haute densité multi-kW) -
Chargeurs embarqués pour véhicules hybrides rechargeables (PHEV) et
batteries électriques (BEV) - Charges industrielles importantes
Téléchargez la Conception
de référence TDTTP3300-RD ici.
Produits à haut rendement, expertise minimale requise
Transphorm conçoit et fabrique la plateforme GaN 650 V de la plus haute
qualité et de la plus haute fiabilité, produisant les seuls
transistors GaN HV JEDEC et AEC-Q101. La conception de référence offre
une efficacité de 99 % en utilisant la technologie GaN FET 650 V
(TP65H050WS – résistance 50 mΩ) de 3e génération de
Transphorm, dans le solide bloc d’alimentation TO-247 favori du secteur.
Le TDTTP3300-RD inclut toutes les ressources nécessaires pour développer
des produits rapidement sans avoir besoin d’une expertise en
conception GaN ni en codage de firmware DSP :
- Rapport de test
- Guide de conception de matériel
- Guide de conception du firmware (avec firmware téléchargeable)
- Schémas de conception et fichiers Gerber
- Nomenclature (BOM)
« Comme en témoignent les produits finis des clients, les appareils Q+R
haut de gamme de Transphorm sont réputés pour fournir ce que le GaN à
haute tension a toujours promis. Densité de puissance accrue, efficacité
et performances avec un coût système réduit », a déclaré Philip Zuk,
vice-président du marketing technique, chez Transphorm. « Désormais,
nous aidons les concepteurs à capitaliser rapidement sur ces avantages
en éliminant les lacunes dans les connaissances de conception. Avec
notre conception de référence de 3,3 kW, nous dotons l’industrie d’une
feuille de route dont l’élaboration a duré plusieurs années. Nous sommes
impatients de voir quelles innovations système seront construites à
partir de cette fondation GaN. »
| Caractéristiques du TDTTP3300-RD | Avantages | |||||
| GaN FET TP65H050WS |
Résistance d’entrée élevée : ±20 VGS(max)
Immunité au bruit élevée : 4,0 VTH |
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| État machine basé sur firmware DSP |
Active un convertisseur entièrement fonctionnel avec états opérationnels prédéfinis. |
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| Intégration de la carte mère TMS320F28335 DSP |
Outils de développement connus |
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| Paramètres opérationnels programmables |
Fréquence de commutation, démarrage progressif, limites de défaut, etc., définis par l’utilisateur |
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| Traitement des défauts |
Surtension VIN/VOUT, OCP, OTP, minuteries de verrouillage ou de redémarrage programmables, etc. |
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| Alimentation auxiliaire interne |
Élimine l’alimentation externe, et fournit un second niveau d’alimentation. |
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| Commandes d’interférence électromagnétique appliquées |
Conformité EMI initiale obtenue grâce à la configuration du circuit imprimé et à des techniques de conception éprouvées. |
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Bienvenue à la révolution GaN !
Transphorm conçoit et fabrique les semi-conducteurs GaN les plus
performants et les plus fiables pour les applications de conversion de
puissance à haute tension. Transphorm, qui possède l’un des plus
importants portefeuilles IP Power GaN (plus de 1000 brevets déjà émis ou
en instance dans le monde entier), produit les seuls FET GaN
certifiés JEDEC et AEC-Q101 du secteur. Cela grâce à une approche à
intégration verticale permettant d’innover à chaque stade du
développement : matériaux, conception et fabrication des dispositifs,
fabrication, emballage, conceptions circuit de référence et prise en
charge d’applications. Transphorm : amener l’électronique de puissance
au-delà des limites du silicium. Site Web : transphormusa.com
Twitter : @transphormusa
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être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse
foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction
devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.
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