Du SATA 3 avec les SSD Samsung PM830

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Samsung a dévoilé sa nouvelle gamme de SSD. Au coeur de cette nouvelle gamme, c’est le process qualifié de “classe 20nm” ainsi que sa dernière interface toggle DDR qui donnent leurs lettres de noblesses aux mémoires flash de Samsung.

Samsung produit des mémoires flash de 64 Go (8 puces de 8 Go) à base de portes logiques NAND MLC (Multi-Level Cell) dans sa technologie classe 20 nm, sans toutefois préciser s’il s’agit réellement d’une lithographie 20 nm.

De concert avec Toshiba, le constructeur coréen a également introduit en octobre 2010 son interface asynchrone toggle DDR (Double Data Rate) 2.0 afin d’accroître la bande passante de ses mémoires. Celle-ci passe ainsi de 40 Mo/s (avec les NAND SDR) et 133 Mo/s avec l’interface Toggle DDR 1.0 à 400 Mo/s avec la Toggle DDR 2.0.

Ce savoir-faire dans le domaine des RAM flash est désormais mis en oeuvre dans la gamme de SSD “state of the art” PM830. Les superlatifs sont de mise pour décrire ses spécifications avec notamment des vitesses annoncées d’écriture à 350Mo/s et de lecture à 500 Mo/s. De surcroît, ils supportent le cryptage des données en AES 256 bits.

Les SSD PM830 sont déclinés en 512 Go, 256 Go et 128 Go et sont disponibles depuis hier. Pour le moment, ils ne sont disponibles qu’en versions OEM pour les constructeurs de laptops. Les MacBook Air 2011 embarquent d’ailleurs une version customisée de leur prédécesseur avec les SSD PM810.

Intel et SandForce proposent de leur côté l’interface ONFI 2.x pour des mémoires gravées en 25 nm. La guerre de la vitesse est donc lancée. Notons que les deux interfaces (Toggle DDR 2.x et ONFI 2.x) devraient être compatibles grâce à une standardisation opérée par le JEDEC.

Et si les vitesses des SSD PM830 annoncées par Samsung (4,4 Gb/s en lecture et 2,8 Gb/s en écriture) se rapprochent de la bande passante du SATA 3.0 (6 Gb/s), le SATA Express a déjà été annoncé et permettra d’atteindre les 16 Gb/s dès 2012.


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